DRAM
SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 256Mb（16M x 16） 并联 166 MHz 60-FBGA（8x9）
得捷:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FPBGA
RoHS 状态 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 MSL 3（168 小时）
REACH 状态 非 REACH 产品
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0024
制造商 Alliance Memory, Inc.
系列 -
包装 托盘
产品状态 停产
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - 移动 LPDDR
存储容量 256Mb（16M x 16）
存储器接口 并联
时钟频率 166 MHz
写周期时间 - 字，页 15ns
电压 - 供电 1.7V ~ 1.95V
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 60-TFBGA
供应商器件封装 60-FBGA（8x9）
基本产品编号 AS4C16
RoHS标准