IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
SDRAM 存储器 IC 512Mb（32M x 16） 并联 54-TSOP II
得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
RoHS 状态 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 MSL 3（168 小时）
REACH 状态 非 REACH 产品
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0028
制造商 Alliance Memory, Inc.
系列 -
包装 卷带（TR）
Product Status 在售
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM
存储容量 512Mb
存储器组织 32M x 16
存储器接口 并联
时钟频率 143 MHz
写周期时间 - 字，页 14ns
访问时间 6 ns
电压 - 供电 3V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装 54-TSOP II
基本产品编号 AS4C32
RoHS标准