AS4C512M8D3B-12BINTR

AS4C512M8D3B-12BINTR概述

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA

SDRAM - DDR3 存储器 IC 4Gb(512M x 8) 并联 78-FBGA(9x10.5)


得捷:
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA


AS4C512M8D3B-12BINTR中文资料参数规格
其他

RoHS 状态 符合 ROHS3 规范

湿气敏感性等级 MSL 3(168 小时)

REACH 状态 非 REACH 产品

ECCN EAR99

HTSUS 8542.32.0036

制造商 Alliance Memory, Inc.

系列 -

包装 卷带(TR)

产品状态 在售

存储器类型 易失

存储器格式 DRAM

技术 SDRAM - DDR3

存储容量 4Gb(512M x 8)

存储器接口 并联

时钟频率 800 MHz

写周期时间 - 字,页 15ns

访问时间 20 ns

电压 - 供电 1.425V ~ 1.575V

工作温度 -40°C ~ 95°C(TC)

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 78-VFBGA

供应商器件封装 78-FBGA(9x10.5)

基本产品编号 AS4C512

符合标准

RoHS标准

数据手册

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型号: AS4C512M8D3B-12BINTR
制造商: Alliance Memory 联盟记忆
描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA

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