IR2103STRPBF

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IR2103STRPBF概述

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Summary of Features:

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Floating channel designed for bootstrap operation
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Fully operational to +600 V
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Tolerant to negative transient voltage
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dV/dt immune
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Gate drive supply range from 10 to 20 V
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Undervoltage lockout
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3.3 V, 5 V, and 15 V logic input compatible
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Cross-conduction prevention logic
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Matched propagation delay for both channels
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Internal set deadtime
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High side output in phase with HIN input
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Low side output out of phase with LIN input
IR2103STRPBF中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 100ns, 50ns

输出接口数 2

针脚数 8

耗散功率 625 mW

静态电流 270 µA

上升时间 170 ns

下降时间 60 ns

下降时间Max 90 ns

上升时间Max 170 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 625 mW

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

IR2103STRPBF引脚图与封装图
IR2103STRPBF电路图
在线购买IR2103STRPBF
型号: IR2103STRPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
替代型号IR2103STRPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IR2103STRPBF

Infineon 英飞凌

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完全替代

IR2103STRPBF和IR2103SPBF的区别

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IR2103STRPBF和IR2101STRPBF的区别

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