P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Summary of Features:
上升/下降时间 100ns, 50ns
输出接口数 2
针脚数 8
耗散功率 625 mW
静态电流 270 µA
上升时间 170 ns
下降时间 60 ns
下降时间Max 90 ns
上升时间Max 170 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 625 mW
电源电压 10V ~ 20V
电源电压Max 20 V
电源电压Min 10 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IR2103STRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IR2103SPBF 英飞凌 | 完全替代 | IR2103STRPBF和IR2103SPBF的区别 |
IR2101STRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IR2103STRPBF和IR2101STRPBF的区别 |
IR2101SPBF 英飞凌 | 类似代替 | IR2103STRPBF和IR2101SPBF的区别 |