SI1903DL-T1

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SI1903DL-T1中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 995 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 270 mW

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids -440 mA to 440 mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SI1903DL-T1
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:双P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET Dual P-Channel 2.5-V G-S MOSFET

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