BM60212FV-CE2

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BM60212FV-CE2中文资料参数规格
封装参数

封装 SSOP-20

外形尺寸

封装 SSOP-20

其他

上升/下降时间典型值 50ns,50ns

输入类型 非反相

电压-供电 10V ~ 24V

通道类型 同步

逻辑电压 -VIL,VIH 0.8V,2V

高压侧电压-最大值自举 1200V

工作温度 -40°C ~ 125°CTA

封装/外壳 20-SSOP0.240"",6.10mm 宽

电流-峰值输出灌入,拉出 4.5A,3.9A

栅极类型 IGBT,N 沟道 MOSFET

驱动配置 高压侧和低压侧

驱动器数 2

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BM60212FV-CE2
型号: BM60212FV-CE2
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:低边 高边 IGBT MOSFET 灌:4.5A 拉:3.9A

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