CY7C1021CV26-15BAE参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY7C1021CV26-15BAE概述

1兆位（ 64千×16 ）静态CMOS RAM以获得最佳速度/功耗 1-Mbit 64 K x 16 Static RAM CMOS for optimum speed/power

SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb 64K x 16 Parallel 15ns 48-VFBGA 6x8

得捷:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGA

Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 1M-bit 64K x 16 15ns Automotive 48-Pin VFBGA Tube

CY7C1021CV26-15BAE中文资料参数规格

技术参数

电源电压 2.5V ~ 2.7V

封装参数

封装 VFBGA-48

外形尺寸

封装 VFBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买CY7C1021CV26-15BAE

型号： CY7C1021CV26-15BAE

制造商： Cypress Semiconductor 赛普拉斯

描述：1兆位（ 64千×16 ）静态CMOS RAM以获得最佳速度/功耗 1-Mbit 64 K x 16 Static RAM CMOS for optimum speed/power