IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA
SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb 并联 15 ns 48-VFBGA（6x8）
得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA
RoHS 状态 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 MSL 3（168 小时）
REACH 状态 非 REACH 产品
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0041
制造商 Infineon Technologies
系列 -
包装 卷带（TR）
Product Status 在售
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 异步
存储容量 4Mb
存储器组织 256K x 16
存储器接口 并联
写周期时间 - 字，页 15ns
访问时间 15 ns
电压 - 供电 1.65V ~ 2.2V
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 48-VFBGA
供应商器件封装 48-VFBGA（6x8）
基本产品编号 CY7C1041
RoHS标准