IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb 并联 15 ns 44-SOJ
得捷:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
RoHS 状态 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 MSL 3(168 小时)
REACH 状态 非 REACH 产品
ECCN 3A991B2B
HTSUS 8542.32.0041
制造商 Infineon Technologies
系列 -
包装 卷带(TR)
Product Status 停产
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 异步
存储容量 1Mb
存储器组织 64K x 16
存储器接口 并联
写周期时间 - 字,页 15ns
访问时间 15 ns
电压 - 供电 4.5V ~ 5.5V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)
供应商器件封装 44-SOJ
基本产品编号 CY7C1021
RoHS标准