CY7C1021BN-15VXIT

CY7C1021BN-15VXIT概述

IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb 并联 15 ns 44-SOJ


得捷:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ


CY7C1021BN-15VXIT中文资料参数规格
其他

RoHS 状态 符合 ROHS3 规范

湿气敏感性等级 MSL 3(168 小时)

REACH 状态 非 REACH 产品

ECCN 3A991B2B

HTSUS 8542.32.0041

制造商 Infineon Technologies

系列 -

包装 卷带(TR)

Product Status 停产

存储器类型 易失

存储器格式 SRAM

技术 SRAM - 异步

存储容量 1Mb

存储器组织 64K x 16

存储器接口 并联

写周期时间 - 字,页 15ns

访问时间 15 ns

电压 - 供电 4.5V ~ 5.5V

工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)

供应商器件封装 44-SOJ

基本产品编号 CY7C1021

符合标准

RoHS标准

数据手册

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型号: CY7C1021BN-15VXIT
制造商: Infineon 英飞凌
描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

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