IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb 并联 17 ns 36-SOJ
得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
RoHS 状态 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 MSL 3（168 小时）
REACH 状态 非 REACH 产品
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0041
制造商 Infineon Technologies
系列 -
包装 卷带（TR）
Product Status 停产
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 异步
存储容量 4Mb
Memory Organization 512K x 8
存储器接口 并联
写周期时间 - 字，页 17ns
访问时间 17 ns
电压 - 供电 4.5V ~ 5.5V
工作温度 0°C ~ 70°C（TA）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装 36-SOJ
基本产品编号 CY7C1049
RoHS标准