CY7C1265V18-400BZXC概述
36兆位QDR⑩ -II + SRAM 4字突发架构（ 2.5周期读延迟） 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency
SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 1M x 36 Parallel 400MHz 165-FBGA 15x17
得捷:
IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
Win Source:
36-Mbit QDR™-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency
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型号： CY7C1265V18-400BZXC
制造商：
Cypress Semiconductor
赛普拉斯
描述：36兆位QDR⑩ -II + SRAM 4字突发架构（ 2.5周期读延迟） 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency