CY7C1426AV18-300BZXC参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY7C1426AV18-300BZXC概述

36兆位QDR⑩ - II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 4M x 9 Parallel 300MHz 165-FBGA 15x17

得捷:
IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

CY7C1426AV18-300BZXC中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 1.80 V, 1.90 V max

时钟频率 300MHz max

存取时间 300 µs

内存容量 36000000 B

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray, Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买CY7C1426AV18-300BZXC

型号： CY7C1426AV18-300BZXC

制造商： Cypress Semiconductor 赛普拉斯

描述：36兆位QDR⑩ - II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture