36兆位QDR⑩ - II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture
SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 4M x 9 Parallel 250MHz 165-FBGA 15x17
得捷: IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
贸泽: SRAM 4Mx9 QDR II Burst 4 SRAM COM
电源电压DC 1.80 V, 1.90 V max
时钟频率 250MHz max
存取时间 250 µs
内存容量 36000000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
电源电压Max 1.9 V
电源电压Min 1.7 V
安装方式 Surface Mount
封装 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray, Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册