CY7C1426AV18-250BZXC

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CY7C1426AV18-250BZXC概述

36兆位QDR⑩ - II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 4M x 9 Parallel 250MHz 165-FBGA 15x17


得捷:
IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA


贸泽:
SRAM 4Mx9 QDR II Burst 4 SRAM COM


CY7C1426AV18-250BZXC中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 1.80 V, 1.90 V max

时钟频率 250MHz max

存取时间 250 µs

内存容量 36000000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray, Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CY7C1426AV18-250BZXC
型号: CY7C1426AV18-250BZXC
制造商: Cypress Semiconductor 赛普拉斯
描述:36兆位QDR⑩ - II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture

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