IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
SRAM - 同步，SDR 存储器 IC 36Mb（1M x 36） 并联 250 MHz 2.5 ns 165-FBGA（15x17）
得捷:
IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
RoHS 状态 不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 MSL 3（168 小时）
REACH 状态 非 REACH 产品
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0041
制造商 Infineon Technologies
系列 NoBL™
包装 托盘
Product Status 停产
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 同步，SDR
存储容量 36Mb
存储器组织 1M x 36
存储器接口 并联
时钟频率 250 MHz
写周期时间 - 字，页 -
访问时间 2.5 ns
电压 - 供电 2.375V ~ 2.625V
工作温度 0°C ~ 70°C（TA）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 165-LBGA
供应商器件封装 165-FBGA（15x17）
基本产品编号 CY7C1460
RoHS标准