72兆位QDR⑩ -II + SRAM 4字突发架构( 2.5周期读延迟) 72-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency
SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 72Mb 4M x 18 Parallel 375MHz 165-FBGA 15x17
得捷: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
电源电压 1.7V ~ 1.9V
封装 LBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
数据手册