72兆位的DDR -II + SRAM 2字突发架构( 2.5周期读延迟) 72-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency
SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 72Mb(2M x 36) 并联 165-FBGA(15x17)
电源电压 1.7V ~ 1.9V
安装方式 Surface Mount
封装 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
RoHS标准
含铅标准 无铅
数据手册