IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
SRAM - 异步 存储器 IC 并联 12 ns 28-SOJ
得捷:
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
RoHS 状态 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 MSL 1（无限）
REACH 状态 非 REACH 产品
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0041
制造商 Infineon Technologies
系列 -
包装 卷带（TR）
Product Status 停产
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 异步
存储容量 256Kb
存储器组织 32K x 8
存储器接口 并联
写周期时间 - 字，页 12ns
访问时间 12 ns
电压 - 供电 4.5V ~ 5.5V
工作温度 0°C ~ 70°C（TA）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）
供应商器件封装 28-SOJ
基本产品编号 CY7C199
RoHS标准