293D475X56R3A2TE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

293D475X56R3A2TE3图片1

293D475X56R3A2TE3中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 6.30 V

电容 4.70 µF

等效串联电阻ESR 5.5 Ω

容差 ±5 %

额定电压 6.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1206

外形尺寸

封装 1206

物理参数

介质材料 Tantalum

工作温度 -55℃ ~ 125℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买293D475X56R3A2TE3

型号： 293D475X56R3A2TE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：CAP TANT 4.7uF 6.3V 5% 1206

替代型号293D475X56R3A2TE3

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

293D475X56R3A2TE3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

293D475X06R3A2TE3

威世

功能相似

293D475X56R3A2TE3和293D475X06R3A2TE3的区别

293D475X96R3A2TE3

威世

功能相似

293D475X56R3A2TE3和293D475X96R3A2TE3的区别