660C30AED30

660C30AED30中文资料参数规格
技术参数

电容 0.003 µF

额定电压 30000 V

封装参数

安装方式 Through Hole

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号: 660C30AED30
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:Cap Ceramic 0.003uF 30000V Z5U -20% to 80% 37 X 20mm Axial 105℃ Bulk

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