2SA1682 PNP三极管 -300V -50mA 70MHz 160~320 -1000mV/-1V SOT-23/CP marking/标记 CS5 击穿电压高
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -300V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −300V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -50mA 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 70MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~200 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -1000mV/-1V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR high breakdown voltage; excellent DC current gain ratio 描述与应用| PNP硅平面高压晶体管 击穿电压高; 卓越的DC电流增益比
封装 SOT-23
封装 SOT-23
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO -300V
集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO −300V
集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC -50mA
截止频率fTTranstion FrequencyfT 70MHz
直流电流增益hFEDC Current GainhFE 160~320
管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage -1000mV/-1V
耗散功率PcPoWer Dissipation 250mW/0.25W
规格书PDF __
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
2SA1682 Sanyo Semiconductor 三洋 | 当前型号 | 当前型号 |