NOSC686M006R0200概述
Cap Niobium 68uF 6.3V 20% 6 X 3.2 X 2.6mm SMD 0.2Ω 125AA℃ T/R
68 µF 氧化铌电容器 6.3 V 2312（6032 公制） 200 mOhms
得捷:
CAP NIOB OXID 68UF 20% 6.3V 2312
Chip1Stop:
Cap Niobium 68uF 6.3V 20% 6 X 3.2 X 2.6mm SMD 0.2 Ohm 125A？A℃ T/R
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型号： NOSC686M006R0200
制造商：
Kyocera
京瓷
描述：Cap Niobium 68uF 6.3V 20% 6 X 3.2 X 2.6mm SMD 0.2Ω 125AA℃ T/R
替代型号NOSC686M006R0200
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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