N沟道,100V,57A,23mΩ@10V
Benefits:
得捷:
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
欧时:
Infineon MOSFET IRF3710STRLPBF
立创商城:
N沟道 100V 57A
贸泽:
MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
儒卓力:
**MOSFET 100V 57A **
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
额定功率 200 W
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
输入电容 3130 pF
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 57A
上升时间 58 ns
输入电容Ciss 3130pF @25VVds
额定功率Max 200 W
下降时间 47 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 9.65 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRF3710STRLPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF3710SPBF 英飞凌 | 完全替代 | IRF3710STRLPBF和IRF3710SPBF的区别 |
IRF3710STRRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF3710STRLPBF和IRF3710STRRPBF的区别 |
IRF3710S 英飞凌 | 功能相似 | IRF3710STRLPBF和IRF3710S的区别 |