IRF3710STRLPBF

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IRF3710STRLPBF概述

N沟道,100V,57A,23mΩ@10V

Benefits:

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RoHS Compliant
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Low RDSon
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Industry-leading quality
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Dynamic dv/dt Rating
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Fast Switching
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Fully Avalanche Rated
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175°C Operating Temperature

得捷:
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK


欧时:
Infineon MOSFET IRF3710STRLPBF


立创商城:
N沟道 100V 57A


贸泽:
MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**MOSFET 100V 57A **


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK


IRF3710STRLPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 200 W

极性 N-Channel

耗散功率 200 W

输入电容 3130 pF

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 57A

上升时间 58 ns

输入电容Ciss 3130pF @25VVds

额定功率Max 200 W

下降时间 47 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 9.65 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRF3710STRLPBF
型号: IRF3710STRLPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:N沟道,100V,57A,23mΩ@10V
替代型号IRF3710STRLPBF
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