IRLR3110ZTRPBF

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IRLR3110ZTRPBF概述

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

N 通道功率 MOSFET 100V,

Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK


欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR3110ZTRPBF, 63 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


立创商城:
N沟道 100V 42A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Allied Electronics:
IRLR3110ZTRPBF N-channel MOSFET Transistor; 63 A; 100 V; 3+Tab-Pin DPAK


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


儒卓力:
**N-CH 100V 63A 14mOhm TO252 **


力源芯城:
100V,14mΩ,63A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK


IRLR3110ZTRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 140 W

针脚数 3

漏源极电阻 16 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 140 W

阈值电压 1 V

输入电容 3980 pF

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 63A

上升时间 110 ns

输入电容Ciss 3980pF @25VVds

额定功率Max 140 W

下降时间 48 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 140W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 7.49 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Lighting LED, Battery Operated Drive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRLR3110ZTRPBF
型号: IRLR3110ZTRPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
替代型号IRLR3110ZTRPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Infineon 英飞凌

当前型号

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