








ON SEMICONDUCTOR NTD4302T4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 30 V, 0.0078 ohm, 10 V, 1.9 V 新
N-Channel 30V 8.4A Ta, 68A Tc 1.04W Ta, 75W Tc Surface Mount DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
立创商城:
N沟道 30V 8.4A
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 30 V, 0.0078 ohm, 10 V, 1.9 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 11.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 68A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 68A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 11.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR NTD4302T4G MOSFET Transistor, N Channel, 18.5 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1.9 V
力源芯城:
68A,30V功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
额定电压DC 30.0 V
额定电流 68.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.0078 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 75 W
阈值电压 1.9 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 18.5 A
上升时间 15.0 ns
输入电容Ciss 2400pF @24VVds
额定功率Max 1.04 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.04W Ta, 75W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
NTD4302T4G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
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