NTD4302T4G

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NTD4302T4G概述

ON SEMICONDUCTOR  NTD4302T4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 30 V, 0.0078 ohm, 10 V, 1.9 V 新

N-Channel 30V 8.4A Ta, 68A Tc 1.04W Ta, 75W Tc Surface Mount DPAK


得捷:
MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK


立创商城:
N沟道 30V 8.4A


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 30 V, 0.0078 ohm, 10 V, 1.9 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 11.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 68A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 68A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 11.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  NTD4302T4G  MOSFET Transistor, N Channel, 18.5 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1.9 V


力源芯城:
68A,30V功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK


NTD4302T4G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 68.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.0078 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 75 W

阈值电压 1.9 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 18.5 A

上升时间 15.0 ns

输入电容Ciss 2400pF @24VVds

额定功率Max 1.04 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.04W Ta, 75W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买NTD4302T4G
型号: NTD4302T4G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTD4302T4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 30 V, 0.0078 ohm, 10 V, 1.9 V 新
替代型号NTD4302T4G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

NTD4302T4G

ON Semiconductor 安森美

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