INFINEON IRLB8721PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 30 V, 0.0065 ohm, 10 V, 1.8 V
N 通道功率 MOSFET，30V，
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
额定功率 65 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0065 Ω
极性 N-CH
耗散功率 65 W
阈值电压 1.8 V
输入电容 1077 pF
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 62A
上升时间 93 ns
输入电容Ciss 1077pF @15VVds
下降时间 17 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 65W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.02 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, Consumer Full-Bridge, Push-Pull, Industrial, Communications & Networking, Full-Bridge, 电源管理, Computers & Computer Peripherals, Power Management, 通信与网络, 计算机和计算机周边
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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