IRL3705ZPBF

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IRL3705ZPBF概述

N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

N 通道功率 MOSFET,55V,

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB


立创商城:
N沟道 55V 75A


欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL3705ZPBF, 86 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 86 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 86A 3-Pin3+Tab TO-220AB


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 130W; TO220AB


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 86 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V


儒卓力:
**N-CH 55V 86A 8mOhm TO220-3 **


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB


IRL3705ZPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 130 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.008 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 130 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 86A

上升时间 240 ns

输入电容Ciss 2880pF @25VVds

额定功率Max 130 W

下降时间 83 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 130000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 8.77 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IRL3705ZPBF
型号: IRL3705ZPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A,Infineon Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
替代型号IRL3705ZPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRL3705ZPBF

Infineon 英飞凌

当前型号

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