N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET,55V,
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
立创商城:
N沟道 55V 75A
欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL3705ZPBF, 86 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 86 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 86A 3-Pin3+Tab TO-220AB
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 130W; TO220AB
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 86 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
儒卓力:
**N-CH 55V 86A 8mOhm TO220-3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
额定功率 130 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.008 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 130 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 86A
上升时间 240 ns
输入电容Ciss 2880pF @25VVds
额定功率Max 130 W
下降时间 83 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 130000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 8.77 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRL3705ZPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
AUIRL3705Z 英飞凌 | 类似代替 | IRL3705ZPBF和AUIRL3705Z的区别 |
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AUIRL3705ZL 英飞凌 | 功能相似 | IRL3705ZPBF和AUIRL3705ZL的区别 |