INFINEON AUIRF4905 晶体管, MOSFET, P沟道, -74 A, -55 V, 0.02 ohm, -10 V, -2 V
汽车 P 通道功率 MOSFET,
Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRF4905, 74 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
立创商城:
AUIRF4905
得捷:
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
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功率场效应管, MOSFET, P沟道, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET P-CH 55V 74A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -52A; 200W; TO220AB
Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# INFINEON AUIRF4905 MOSFET Transistor, P Channel, -74 A, -55 V, 0.02 ohm, -10 V, -2 V
Win Source:
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
额定功率 200 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.02 Ω
极性 P-CH
耗散功率 200 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 74A
上升时间 99 ns
输入电容Ciss 3400pF @25VVds
下降时间 96 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.66 mm
宽度 4.82 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 车用, Automotive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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