AUIRF4905

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AUIRF4905概述

INFINEON  AUIRF4905  晶体管, MOSFET, P沟道, -74 A, -55 V, 0.02 ohm, -10 V, -2 V

汽车 P 通道功率 MOSFET,

Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRF4905, 74 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装


立创商城:
AUIRF4905


得捷:
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET P-CH 55V 74A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -52A; 200W; TO220AB


Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# INFINEON  AUIRF4905  MOSFET Transistor, P Channel, -74 A, -55 V, 0.02 ohm, -10 V, -2 V


Win Source:
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB


AUIRF4905中文资料参数规格
技术参数

额定功率 200 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.02 Ω

极性 P-CH

耗散功率 200 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 74A

上升时间 99 ns

输入电容Ciss 3400pF @25VVds

下降时间 96 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.66 mm

宽度 4.82 mm

高度 16.51 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 车用, Automotive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买AUIRF4905
型号: AUIRF4905
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  AUIRF4905  晶体管, MOSFET, P沟道, -74 A, -55 V, 0.02 ohm, -10 V, -2 V
替代型号AUIRF4905
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