INFINEON IRFS4227PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 200 V, 26 mohm, 10 V, 5 V
N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V,
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
欧时:
### 电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET,Infineon### 电动机控制 MOSFETInfineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。 ### 同步整流器 MOSFET同步整流 MOSFET 设备的组合,适用于交流-直流电源,支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装
Jameco:
Transistor MOSFET Negative Channel 200 Volt 62A 3-Pin2+Tab D2PAK
安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin2+Tab D2PAK
富昌:
单 N-沟道 200 V 26 mOhm 98 nC HEXFET® 功率 Mosfet - D2PAK
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 330W; D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
Newark:
# INFINEON IRFS4227PBF MOSFET Transistor, N Channel, 62 A, 200 V, 26 mohm, 10 V, 5 V
儒卓力:
**N-CH 200V 62A 26mOhm TO263 **
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
额定功率 330 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.026 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 330 W
阈值电压 5 V
输入电容 4600 pF
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 62A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 4600pF @25VVds
额定功率Max 330 W
下降时间 31 ns
工作温度Max 180 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 330W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 消费电子产品, Battery Operated Drive, Consumer Electronics, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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