NTTFS4932NTAG

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NTTFS4932NTAG概述

ON SEMICONDUCTOR  NTTFS4932NTAG  MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 30 V, 0.0025 ohm, 10 V, 1.6 V 新

表面贴装型 N 通道 30 V 11A(Ta),79A(Tc) 850mW(Ta),43W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)


得捷:
MOSFET N-CH 30V 11A/79A 8WDFN


贸泽:
MOSFET 30V 79A 4 mOhm Single N-Chan u8FL


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 18 A, 0.0025 ohm, WDFN, 表面安装


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this NTTFS4932NTAG power MOSFET from ON Semiconductor. Its maximum power dissipation is 4500 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  NTTFS4932NTAG  MOSFET, N-CH, 30V, 18A, WDFN-8


力源芯城:
79A,30V,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN


NTTFS4932NTAG中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0025 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.2 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 18A

上升时间 22.6 ns

输入电容Ciss 3111pF @15VVds

额定功率Max 850 mW

下降时间 4.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 850mW Ta, 43W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 WDFN-8

外形尺寸

封装 WDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20

数据手册

在线购买NTTFS4932NTAG
型号: NTTFS4932NTAG
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTTFS4932NTAG  MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 30 V, 0.0025 ohm, 10 V, 1.6 V 新
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