IRLR8256TRPBF

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IRLR8256TRPBF概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 25 V, 0.0042 ohm, 10 V, 1.8 V

Benefits:

.
RoHS Compliant
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Logic Level

立创商城:
IRLR8256TRPBF 停产


得捷:
MOSFET N-CH 25V 81A DPAK


欧时:
Infineon MOSFET IRLR8256TRPBF


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 25 V, 0.0042 ohm, 10 V, 1.8 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 81A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 81A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 81A; 63W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 25V 81A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 25V 81A DPAK


IRLR8256TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 63 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.0042 Ω

极性 N-CH

耗散功率 63 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 81A

上升时间 46 ns

输入电容Ciss 1470pF @13VVds

额定功率Max 63 W

下降时间 8.5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 63W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRLR8256TRPBF
型号: IRLR8256TRPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 25 V, 0.0042 ohm, 10 V, 1.8 V
替代型号IRLR8256TRPBF
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