INFINEON AUIRFR3504Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 40 V, 8230 µohm, 10 V, 2 V
汽车 N 通道功率 MOSFET,
Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
立创商城:
N沟道 40V 42A
欧时:
### 汽车 N 通道功率 MOSFET,InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
贸泽:
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 9mOhms
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 40 V, 0.00823 ohm, 10 V, 2 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 77A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 77A 3-Pin2+Tab DPAK Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK
Newark:
# INFINEON AUIRFR3504Z MOSFET Transistor, N Channel, 42 A, 40 V, 8230 µohm, 10 V, 2 V
Win Source:
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
额定功率 90 W
针脚数 2
漏源极电阻 0.00823 Ω
极性 N-CH
耗散功率 90 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 77A
上升时间 74 ns
输入电容Ciss 1510pF @25VVds
下降时间 38 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 90W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tube
制造应用 车用, Power Management, Automotive, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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