INFINEON IRLR8726PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.8 V
N 通道功率 MOSFET,30V,
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8726PBF, 86 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
立创商城:
N沟道 30V 86A
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MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
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MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC
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Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin2+Tab DPAK Tube
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单 N 沟道 30 V 75 W 15 nC Hexfet 功率 Mosfet 表面贴装 - DPAK
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 75W; DPAK
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Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin2+Tab DPAK Tube
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# INFINEON IRLR8726PBF MOSFET Transistor, N Channel, 25 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.8 V
儒卓力:
**N-CH 30V 86A 5,8mOhm TO252 **
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
额定功率 75 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.004 Ω
极性 N-CH
耗散功率 75 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 86A
上升时间 49 ns
输入电容Ciss 2150pF @15VVds
额定功率Max 75 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 75000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, Industrial, Communications & Networking, 电源管理, Computers & Computer Peripherals, Power Management, 通信与网络, 计算机和计算机周边
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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