IRLR8726PBF

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IRLR8726PBF概述

INFINEON  IRLR8726PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.8 V

N 通道功率 MOSFET,30V,

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8726PBF, 86 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


立创商城:
N沟道 30V 86A


得捷:
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK


贸泽:
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


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单 N 沟道 30 V 75 W 15 nC Hexfet 功率 Mosfet 表面贴装 - DPAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 75W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


Newark:
# INFINEON  IRLR8726PBF  MOSFET Transistor, N Channel, 25 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.8 V


儒卓力:
**N-CH 30V 86A 5,8mOhm TO252 **


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK


IRLR8726PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 75 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.004 Ω

极性 N-CH

耗散功率 75 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 86A

上升时间 49 ns

输入电容Ciss 2150pF @15VVds

额定功率Max 75 W

下降时间 16 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 75000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业, Industrial, Communications & Networking, 电源管理, Computers & Computer Peripherals, Power Management, 通信与网络, 计算机和计算机周边

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

IRLR8726PBF引脚图与封装图
IRLR8726PBF引脚图
在线购买IRLR8726PBF
型号: IRLR8726PBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRLR8726PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.8 V
替代型号IRLR8726PBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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