HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET,55V,
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 94A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
单通道 N 沟道 55 V 140 W 63 nC Hexfet 功率 MOSFET 表面贴装 - D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
针脚数 3
漏源极电阻 0.0058 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 140 W
阈值电压 4 V
输入电容 2840 pF
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 94A
上升时间 150 ns
输入电容Ciss 2840pF @25VVds
额定功率Max 140 W
下降时间 92 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 140W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 11.3 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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