IRF1010ZSTRLPBF

IRF1010ZSTRLPBF图片1
IRF1010ZSTRLPBF图片2
IRF1010ZSTRLPBF图片3
IRF1010ZSTRLPBF图片4
IRF1010ZSTRLPBF图片5
IRF1010ZSTRLPBF图片6
IRF1010ZSTRLPBF图片7
IRF1010ZSTRLPBF图片8
IRF1010ZSTRLPBF图片9
IRF1010ZSTRLPBF概述

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

N 通道功率 MOSFET,55V,

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK


欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 94A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
单通道 N 沟道 55 V 140 W 63 nC Hexfet 功率 MOSFET 表面贴装 - D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK


IRF1010ZSTRLPBF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0058 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 140 W

阈值电压 4 V

输入电容 2840 pF

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 94A

上升时间 150 ns

输入电容Ciss 2840pF @25VVds

额定功率Max 140 W

下降时间 92 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 140W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 11.3 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRF1010ZSTRLPBF
型号: IRF1010ZSTRLPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
替代型号IRF1010ZSTRLPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRF1010ZSTRLPBF

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IRF1010ZSPBF

英飞凌

类似代替

IRF1010ZSTRLPBF和IRF1010ZSPBF的区别

IRF1010ZSTRRPBF

英飞凌

类似代替

IRF1010ZSTRLPBF和IRF1010ZSTRRPBF的区别

IRF1010ZS

英飞凌

类似代替

IRF1010ZSTRLPBF和IRF1010ZS的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台