IRG4PSH71KDPBF

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IRG4PSH71KDPBF概述

INFINEON  IRG4PSH71KDPBF  单晶体管, IGBT, 78 A, 3.9 V, 350 W, 1.2 kV, TO-274AA, 3 引脚

Co-Pack IGBT 超过 21A,

Infineon 的隔离栅极双极 IGBT 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。

IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置


得捷:
IGBT 1200V 78A SUPER247


欧时:
### Co-Pack IGBT 超过 21A,InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 IGBT 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置 ### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 SFM 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。


e络盟:
单晶体管, IGBT, 78 A, 3.9 V, 350 W, 1.2 kV, TO-274AA, 3 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 78A 350000mW 3-Pin3+Tab TO-274AA Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 78A 3-Pin3+Tab TO-274AA


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 78A 350000mW 3-Pin3+Tab TO-274AA Tube


TME:
Transistor: IGBT; 1200V; 78A; 350W; SUPER247


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 78A 350000mW 3-Pin3+Tab TO-274AA Tube


Newark:
# INFINEON  IRG4PSH71KDPBF  IGBT Single Transistor, 78 A, 1.2 kV, 350 W, 1.2 kV, TO-274AA, 3 Pins


Win Source:
IGBT 1200V 78A 350W SUPER247


IRG4PSH71KDPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 350 W

针脚数 3

极性 N-Channel

耗散功率 350 W

上升时间 84.0 ns

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 107 ns

额定功率Max 350 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 Super-247-3

外形尺寸

长度 16.1 mm

宽度 5.3 mm

高度 20.8 mm

封装 Super-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Bulk

制造应用 Alternative Energy, Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, 替代能源, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IRG4PSH71KDPBF
型号: IRG4PSH71KDPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRG4PSH71KDPBF  单晶体管, IGBT, 78 A, 3.9 V, 350 W, 1.2 kV, TO-274AA, 3 引脚
替代型号IRG4PSH71KDPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRG4PSH71KDPBF

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当前型号

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