SUD50N10-18P-E3

SUD50N10-18P-E3图片1
SUD50N10-18P-E3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 8.2A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 2600pF @50VVds

额定功率Max 3 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SUD50N10-18P-E3
型号: SUD50N10-18P-E3
制造商: VISHAY 威世
描述:N沟道100 - V(D -S), 175 ℃下的MOSFET N-Channel 100-V D-S, 175 °C MOSFET
替代型号SUD50N10-18P-E3
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SUD50N10-18P-E3

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