极性 N-CH
耗散功率 3 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 8.2A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 2600pF @50VVds
额定功率Max 3 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
数据手册
SUD50N10-18P-E3
VISHAY 威世
当前型号
STD70N10F4
意法半导体
功能相似
IPD50N10S3L-16
英飞凌
IPD180N10N3 G