AOT12N65_001概述
MOSFET N-CH 30V TO220
通孔 N 通道 650 V 12A（Tc） 278W（Tc） TO-220
得捷:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
AOT12N65_001中文资料参数规格
其他
湿气敏感性等级 MSL 1（无限）
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列 -
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 Id 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 720 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgsth（最大值） 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 Qg（最大值） 48 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 Ciss（最大值） 2150 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 278W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
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