MOSFET 2 N-CH 20V 10.1A 4QFN
MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）共漏 20V 10.1A（Ta） 3.6W 表面贴装型 4-QFN（2x2）
得捷:
MOSFET 2 N-CH 20V 10.1A 4QFN
RoHS 状态 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 MSL 3（168 小时）
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
制造商 Renesas Electronics America Inc
系列 -
包装 管件
Product Status 停产
FET 类型 2 N 沟道（双）共漏
FET 功能 标准
漏源电压（Vdss） 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 Id 10.1A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 13 毫欧 @ 6.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgsth（最大值） 1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 Qg（最大值） 11nC @ 4V
不同 Vds 时输入电容 Ciss（最大值） 900pF @ 10V
功率 - 最大值 3.6W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 4-VDFN
供应商器件封装 4-QFN（2x2）
RoHS标准