IRFI4227PBF

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IRFI4227PBF概述

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V,

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP


欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。


立创商城:
IRFI4227PBF


贸泽:
MOSFET MOSFT 200V 26A 22mOhm 73nC


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 V, 26 A, 0.021 ohm, TO-220AB, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin3+Tab TO-220AB Full-Pak


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 26A; 18W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
# INFINEON  IRFI4227PBF  MOSFET, N-CH, 200V, 26A, TO-220AB-3


儒卓力:
**N-CH 200V 26A 25mOhm TO220FP **


IRFI4227PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 18 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.021 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 46 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 26A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 4600pF @25VVds

下降时间 29 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 46W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.63 mm

宽度 4.83 mm

高度 16.12 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Class D Audio, Battery Operated Drive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRFI4227PBF
型号: IRFI4227PBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

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