NSS60101DMTTBG

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NSS60101DMTTBG概述

双极晶体管阵列, 双NPN, 60 V, 2.27 W, 1 A, 35 hFE, WDFN

Bipolar BJT Transistor Array 2 NPN Dual 60V 1A 180MHz 2.27W Surface Mount 6-WDFN 2x2


立创商城:
NSS60101DMTTBG


得捷:
TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN


e络盟:
双极晶体管阵列, 双NPN, 60 V, 2.27 W, 1 A, 35 hFE, WDFN


艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 1A 6-Pin WDFN T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R


NSS60101DMTTBG中文资料参数规格
技术参数

频率 180 MHz

针脚数 6

极性 NPN

耗散功率 2.27 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 120 @500mA, 2V

额定功率Max 2.27 W

直流电流增益hFE 35

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2270 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 WDFN-6

外形尺寸

封装 WDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买NSS60101DMTTBG
型号: NSS60101DMTTBG
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:双极晶体管阵列, 双NPN, 60 V, 2.27 W, 1 A, 35 hFE, WDFN

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