NX1029X,115

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NX1029X,115中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

极性 N+P

耗散功率 0.5 W

漏源极电压Vds 60V, 50V

连续漏极电流Ids 0.33A/0.17A

输入电容Ciss 36pF @25VVds

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666-6

外形尺寸

封装 SOT-666-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买NX1029X,115
型号: NX1029X,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NX1029 系列 60 / 50 V 330 / 170 mA N/P-沟道 Trench MOSFET - SOT-666

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