2N5564-E3

2N5564-E3中文资料参数规格
技术参数

额定电流 50.0 mA

极性 Dual N-Channel

耗散功率 650 mW

栅源击穿电压 -40.0 V

连续漏极电流Ids 30.0 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 650 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 6

封装 TO-71

外形尺寸

高度 5.33 mm

封装 TO-71

其他

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: 2N5564-E3
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:匹配的N沟道JFET双 Matched N-Channel JFET Pairs

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