1N5988D-1E3

1N5988D-1E3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 500 mW

稳压值 3.3 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

数据手册

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型号: 1N5988D-1E3
制造商: Microsemi 美高森美
描述:DO-35 3.3V 0.5W1/2W

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