Trans IGBT Chip N-CH 650V 134A 595000mW
IGBT NPT 通孔 T-MAX™ [B2]
得捷: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
艾睿: Trans IGBT Chip N-CH 650V 134A 595000mW Tube
Verical: APT70GR65B2SCD30
耗散功率 595000 mW
击穿电压集电极-发射极 650 V
额定功率Max 595 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 595000 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Motor Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册