MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，半桥，InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟，用于两个通道 输出相位，带输入 无铅，符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon International Rectifier
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，高侧和低侧，Infineon
Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件，采用高侧和低侧配置。
得捷:
HIGH AND LOW-SIDE DRIVER
欧时:
### MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，半桥，InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟，用于两个通道 输出相位，带输入 无铅，符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon International Rectifier
电源电压DC 3.00V min
上升/下降时间 25ns, 15ns
输出接口数 2
产品系列 AUIRS2110S
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3V ~ 20V
电源电压Max 20 V
电源电压Min 3 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 16
封装 SOIC-16
长度 10.5 mm
宽度 7.6 mm
高度 2.35 mm
封装 SOIC-16
工作温度 -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
ECCN代码 EAR99