ALLIANCE MEMORY AS6C4016-55BIN SRAM, 4Mb, 256K x 16Bit, 2.7V to 5.5V, TFBGA, 48Pins, 55ns
SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb 256K x 16 Parallel 55ns 48-TFBGA 6x8
得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
贸泽:
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 256K x 16 Asyn SRAM
安富利:
SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 256K x 16 55ns 48-Pin TFBGA
TME:
Memory; SRAM, asynchronous; 256kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48
电源电压DC 2.70V min
工作电压 2.7V ~ 5.5V
存取时间 55 ns
内存容量 4000000 B
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 2.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 48
封装 TFBGA-48
封装 TFBGA-48
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Each
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15