AS7C31026B-12JIN参数规格_中文资料_数据手册PDF

AS7C31026B-12JIN概述

静态随机存取存储器 1M, 3.3V, 12ns, FAST 64K x 16 Asynch 静态随机存取存储器

SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb 64K x 16 Parallel 12ns 44-SOJ

得捷:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

贸泽:
静态随机存取存储器 1M, 3.3V, 12ns, FAST 64K x 16 Asynch 静态随机存取存储器

TME:
Memory; SRAM, asynchronous; 64kx16bit; 3÷3.6V; 12ns; SOJ44; 400mils

Verical:
SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 12ns 44-Pin SOJ Tube

AS7C31026B-12JIN中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.00V min

工作电压 3V ~ 3.6V

存取时间 12 ns

内存容量 125000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 32

封装 SOJ-44

外形尺寸

封装 SOJ-44

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买AS7C31026B-12JIN

型号： AS7C31026B-12JIN

描述：静态随机存取存储器 1M, 3.3V, 12ns, FAST 64K x 16 Asynch 静态随机存取存储器

替代型号AS7C31026B-12JIN

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
AS7C31026B-12JIN Alliance Memory 联盟记忆	当前型号	当前型号
CY7C1021CV33-12VC 赛普拉斯	功能相似	AS7C31026B-12JIN和CY7C1021CV33-12VC的区别
CY7C1021V33-12VC 赛普拉斯	功能相似	AS7C31026B-12JIN和CY7C1021V33-12VC的区别
IS61LV6416-12KL Integrated Silicon SolutionISSI	功能相似	AS7C31026B-12JIN和IS61LV6416-12KL的区别