AOT12N60FD

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AOT12N60FD概述

TO-220 N-CH 600V 12A

General Description

The /AOTF12N60FD have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications. By providing low RDSon, Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capability these parts can be adopted quickly into new and existing offline power supply designs.

Product Summary

VDS  700V@150℃

ID at VGS=10V 12A

RDSONat VGS=10V < 0.65Ω

AOT12N60FD中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 278W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 90 ns

输入电容Ciss 2010pF @25VVds

额定功率Max 278 W

下降时间 82 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 278W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AOT12N60FD
型号: AOT12N60FD
制造商: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体
描述:TO-220 N-CH 600V 12A

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