AOT10N65参数规格_中文资料_数据手册PDF

AOT10N65概述

TO-220 N-CH 650V 10A

通孔 N 通道 10A（Tc） 250W（Tc） TO-220

得捷:
MOSFET N-CH 650V 10A TO220

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin3+Tab TO-220

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220

Win Source:
MOSFET N-CH 650V 10A TO220

AOT10N65中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 250W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 61 ns

输入电容Ciss 1645pF @25VVds

额定功率Max 250 W

下降时间 53 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： AOT10N65

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：TO-220 N-CH 650V 10A