AOD3N50

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AOD3N50概述

500V,2.8A,N沟道MOSFET

N-Channel 500V 2.8A Tc 57W Tc Surface Mount TO-252, D-Pak


得捷:
MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 2.8A 3-Pin2+Tab DPAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 2.8A 3-Pin2+Tab TO-252


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.8A; 57W; TO252


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 2.8A 3-Pin2+Tab DPAK


力源芯城:
500V,2.8A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252


AOD3N50中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 57 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 2.8A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 331pF @25VVds

额定功率Max 57 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 57W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AOD3N50
型号: AOD3N50
制造商: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体
描述:500V,2.8A,N沟道MOSFET
替代型号AOD3N50
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

AOD3N50

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

当前型号

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