AOTF11N62

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AOTF11N62概述

TO-220F N-CH 620V 11A

N-Channel 620V 11A Tc 50W Tc Through Hole TO-220-3F


得捷:
MOSFET N-CH 620V 11A TO220-3F


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 620V 11A 3-Pin3+Tab TO-220F Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 8A; TO220F


Win Source:
620V,11A N-Channel MOSFET | MOSFET N-CH 620V 11A TO220F


AOTF11N62中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 50W Tc

漏源极电压Vds 620 V

连续漏极电流Ids 11A

上升时间 58 ns

输入电容Ciss 1990pF @25VVds

额定功率Max 50 W

下降时间 42 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买AOTF11N62
型号: AOTF11N62
制造商: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体
描述:TO-220F N-CH 620V 11A

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